公司公告
行情
Core Technology
外延生長(zhǎng)技術(shù)
Epitaxial growth
外延生長(zhǎng)是指在一定結(jié)晶取向的原有晶體（一般稱為襯底）上延伸出并按一定晶體學(xué)方向生長(zhǎng)單晶層的方法，這個(gè)單晶層被稱為外延層。外延生長(zhǎng)可以精確控制外延層的組分、厚度、界面、摻雜及均勻性，是半導(dǎo)體激光器制作的首步工序。外延生長(zhǎng)的材料結(jié)構(gòu)及質(zhì)量直接決定了半導(dǎo)體激光器芯片的波長(zhǎng)、功率、壽命及可靠性，是半導(dǎo)體激光器制作的核心技術(shù)之一。
FAB晶圓工藝
FAB Wafer process
FAB晶圓工藝加工是將半導(dǎo)體激光器或其他光電器件外延片加工成激光器芯片的關(guān)鍵加工過(guò)程。利用光刻、刻蝕技術(shù)在在外延結(jié)構(gòu)上制作微米和納米級(jí)圖形，完成半導(dǎo)體激光器等光電器件的橫向結(jié)構(gòu)的定義，構(gòu)造半導(dǎo)體激光器的完整諧振腔和其他光電器件的功能結(jié)構(gòu)。再利用介質(zhì)膜和金屬膜生長(zhǎng)等工藝完成半導(dǎo)體激光器等光電器件電流注入電極的制備，完成半導(dǎo)體激光器芯片等光電芯片的制備。
腔面解理鈍化技術(shù)
Cavity surface passivation treatment equipment and technology
在腔面解理及鈍化處理方面，采用超高真空（＜10-10torr）腔面解理鈍化工藝，結(jié)合無(wú)吸收窗口的芯片新結(jié)構(gòu)及工藝，提高了芯片抗腔面光學(xué)災(zāi)變損傷的功率。
高亮度合束及光纖耦合
High brightness combined beam And fiber coupling
針對(duì)大功率半導(dǎo)體激光器光譜質(zhì)量低、光束質(zhì)量差、光譜質(zhì)量低的難題，采用微光學(xué)器件和緊湊化設(shè)計(jì)降低激光器尺寸和體積、采用體光柵和面光柵混合光譜合成技術(shù)在保證高輸出光束質(zhì)量的情況下上百倍地提升輸出功率、采用面光柵波長(zhǎng)鎖定技術(shù)降低中心波長(zhǎng)漂移的同時(shí)提升光譜質(zhì)量、采用高效率光纖耦合技術(shù)實(shí)現(xiàn)激光柔性傳輸、提高系統(tǒng)可靠性，通過(guò)設(shè)計(jì)創(chuàng)新性的結(jié)構(gòu)和開(kāi)發(fā)突破性的波長(zhǎng)鎖定及光譜合成技術(shù)，研制高功率、高亮度、高光譜質(zhì)量的光纖耦合模塊。
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