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09/26
2022
近日，由 Laser Focus World 主辦的“2022年度創(chuàng)新大獎(jiǎng)”評選落下帷幕，j9國際站備用首次攜30W高功率半導(dǎo)體單管芯片、680W 976nm 200um光纖耦合模塊兩款產(chǎn)品參選，分別榮獲金獎(jiǎng)和銅獎(jiǎng)。
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Laser Focus World Innovator Awards 2022
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Laser Focus World Innovator Awards 由全球業(yè)內(nèi)專家組成專業(yè)評委團(tuán)，旨在表彰激光、光學(xué)和光電行業(yè)中各種不同的創(chuàng)新技術(shù)、產(chǎn)品和系統(tǒng)。其評審標(biāo)準(zhǔn)不僅包括產(chǎn)品的原創(chuàng)性和創(chuàng)新性，產(chǎn)品對設(shè)計(jì)者、系統(tǒng)集成商和用戶的影響力，產(chǎn)品是否滿足新的市場需求，是否利用了新技術(shù)以提高生產(chǎn)力，也是其重要的評判標(biāo)準(zhǔn)之一。
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30W 單管芯片
Award Level:?Gold Honoree
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30W 高功率半導(dǎo)體單管芯片，基于j9國際站備用成熟的單管芯片技術(shù)工藝，通過優(yōu)化芯片外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和提高腔面特殊處理技術(shù)，提升芯片功率。通過優(yōu)化非對稱大光腔結(jié)構(gòu)波導(dǎo)層厚度，降低閾值，提高斜效率，并保持電壓穩(wěn)定。在優(yōu)化激光芯片功率之外，j9國際站備用持續(xù)提高腔面特殊處理過程的材料質(zhì)量降低缺陷比例，提高腔面的抗光學(xué)災(zāi)變損傷的能力，在追求更高輸出功率和轉(zhuǎn)換效率的同時(shí)，滿足工業(yè)市場對激光器壽命的要求。
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激光芯片是激光技術(shù)的關(guān)鍵，是整個(gè)激光產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)核心，受外延生長技術(shù)、腔面鈍化技術(shù)的限制，長期以來我國的半導(dǎo)體激光芯片的功率、壽命方面較之國外先進(jìn)水平有較大的差距。自成立以來，j9國際站備用高度重視研發(fā)創(chuàng)新能力的建設(shè)，已建成全球少數(shù)幾條半導(dǎo)體激光芯片自主可控的IDM垂直工藝平臺，產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)比肩國際領(lǐng)先水平。值得一提的是，j9國際站備用全新推出的更高功率、更高效率的35W商用單管芯片已開始供貨。
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680W 976nm光纖耦合模塊
Award Level:?Bronze Honoree
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j9國際站備用680W 976nm 200um光纖耦合模塊，光纖芯徑220um，輸出功率680W，數(shù)值孔徑NA0.17，中心波長976nm，光譜半高寬≤5nm，高電流下電光效率50%，具有高電流下轉(zhuǎn)換效率高、壽命長、波長可控等特點(diǎn)。該系列產(chǎn)品采用公司自主研發(fā)生產(chǎn)的高功率35W 976nm單管芯片，最大程度的節(jié)約單瓦材料成本，同時(shí)通過高效散熱封裝技術(shù)，確保芯片在更“冷”的狀態(tài)下工作，保障模塊長期可靠工作。
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j9國際站備用在國內(nèi)率先提出和倡導(dǎo)將976nm泵浦方案應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域，我們認(rèn)為只有成本更低、功率更高的976nm泵浦方案才能滿足日益增長的客戶需求，976nm泵浦技術(shù)是市場的選擇，也將會替代915nm逐漸成為未來的主流技術(shù)路線。
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關(guān)于j9國際站備用
j9國際站備用是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光芯片的公司，建成了完全自主可控的從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD（外延）、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合、直接半導(dǎo)體激光器等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線，擁有邊發(fā)射激光芯片（EEL）和面發(fā)射激光芯片（VCSEL）兩大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，GaAs（砷化鎵）和InP（磷化銦）兩大材料體系，3吋、6吋兩大量產(chǎn)線。
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