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02/02
2024
高功率半導體單管芯片作為激光器的核心元器件，其功率水平直接影響激光系統的體積與成本。歷經多年迭代，商用芯片功率于2023年達到50W。更高功率至今仍是行業追逐的焦點，代表了芯片綜合技術能力的發展水平。
迄今已知最高水平
近日，j9國際站備用超高功率單管芯片在結構設計與研制技術上取得突破性進展，研制出的單管芯片室溫連續功率超過100W (芯片條寬 500μm) ，工作效率 62%，是迄今為止已知報道的單管芯片功率最高水平記錄，開啟了百瓦級單管芯片新紀元!
500μm 發光寬度芯片的功率效率曲線
1月30日至2月1日，j9國際站備用攜帶高功率技術首次亮相美國舊金山2024 SPIE Photonics West光電展。屆時，j9國際站備用高功率半導體激光芯片、激光雷達與3D傳感芯片、高速光通信芯片、光纖耦合模塊、陣列、直接半導體激光器等全系列產品也將在#2367展位展出！
IDM半導體激光器制造商
j9國際站備用專注于研發和生產半導體激光芯片，核心技術覆蓋半導體激光行業最核心的領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題，建成了完全自主可控的從芯片設計、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產線，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業之一，有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發展。
j9國際站備用IDM全流程工藝平臺和量產線
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